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　　三菱电机从上世纪90年代已经开始启动SiC相关的研发工作◈ღღღ。最初阶段◈ღღღ，SiC晶体的品质并不理想◈ღღღ，适合SiC的器件结构和制造工艺仍处于探索阶段pg娱乐电子游戏官网◈ღღღ，但研发人员坚信SiC MOSFET是能够最大限度发挥SiC材料优异物理性能的器件◈ღღღ，因此一直致力于相关研发炫舞答题每日更新◈ღღღ。

　　三菱电机于2003年开发出耐压2kV的小芯片SiC MOSFET◈ღღღ，并于2005年开发出耐压1200V◈ღღღ、电流10A的SiC MOSFET样片◈ღღღ。对10A的SiC MOSFET进行动态特性评估◈ღღღ，结果表明◈ღღღ，与Si IGBT相比pg娱乐电子游戏官网◈ღღღ，开关损耗可显著降低炫舞答题每日更新◈ღღღ。随后◈ღღღ，三菱电机继续开发大电流芯片◈ღღღ、3.3kV高耐压芯片以及集成各种功能的SiC MOSFET器件◈ღღღ，并将持续致力于开发高性能◈ღღღ、高可靠性且易于使用的SiC MOSFET器件炫舞答题每日更新◈ღღღ。

　　三菱电机集团内部拥有器件开发◈ღღღ、电力电子应用开发和系统开发等部门◈ღღღ。利用这一优势◈ღღღ，三菱电机在开发SiC芯片的同时◈ღღღ，也率先着手开发SiC MOSFET逆变器◈ღღღ。2007年◈ღღღ，制造了应用SiC MOSFET的3.7kW逆变器◈ღღღ，结果显示可将逆变器损耗降低50%◈ღღღ。2009年◈ღღღ，制造出了11kW和20kW逆变器◈ღღღ，根据驱动条件的不同pg娱乐电子游戏官网◈ღღღ，逆变器损耗可降低70-90%◈ღღღ。这一时期◈ღღღ，SiC晶圆的品质得到加速改善pg娱乐电子游戏官网◈ღღღ，SiC工艺相关技术知识也在不断积累◈ღღღ，大家对SiC功率器件的实际期望也在不断提高◈ღღღ。然而◈ღღღ，由于担心栅极氧化膜的可靠性炫舞答题每日更新◈ღღღ，一些制造商对SiC MOSFET仍持怀疑态度◈ღღღ。

　　三菱电机很早就开始着手SiC器件应用的系统开发◈ღღღ。2010年◈ღღღ，三菱电机率先将采用SiC SBD的混合DIPIPM™应用到空调产品中并实现产品化◈ღღღ。2011年◈ღღღ，开发出1200A/1700V的大功率混合SiC模块◈ღღღ，并将其应用于地铁的主逆变器中◈ღღღ。关于SiC MOSFET◈ღღღ，三菱电机于2013年将3.3kV全SiC模块成功应用于轨道车辆主逆变器中pg娱乐电子游戏官网◈ღღღ，并实现产品化◈ღღღ。3.3kV全SiC模块已应用于包括高速列车在内的众多轨道车辆主逆变器中◈ღღღ，并已投入商业化运营◈ღღღ。此外◈ღღღ，三菱电机分别于2015年和2016年◈ღღღ，将SiC MOSFET成功应用到工业用IPM和家电用DIPIPM™中◈ღღღ，实现了产品化◈ღღღ，有助于降低系统的损耗炫舞答题每日更新◈ღღღ。尤其是SiC MOSFET在轨道车辆主逆变器中的应用◈ღღღ，对行业产生了巨大影响◈ღღღ，并加速了SiC MOSFET的产品化和普及◈ღღღ。

　　关于三菱电机SiC器件的开发和生产线英寸的生产线英寸生产线英寸生产线◈ღღღ，也是目前的主要生产线◈ღღღ。未来◈ღღღ，晶圆供应商和设备制造商都希望转向8英寸晶圆生产线英寸生产线年开始运行◈ღღღ。今后◈ღღღ，随着SiC器件在电动汽车◈ღღღ、新能源等市场领域的大幅扩大◈ღღღ，8英寸生产线的投入将有望大幅降低成本◈ღღღ、提高生产效率pg娱乐电子游戏官网◈ღღღ。